IXDR30N120D1

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXDR30N120D1@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXDR30N120D1 фото 1 IXDR30N120D1 фото 1
IXDR30N120D1 фото 2 IXDR30N120D1 фото 2
IXDR30N120D1 фото 3 IXDR30N120D1 фото 3
IXDR30N120D1
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXDR30N120D1
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Power Dissipation
200 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
ISOPLUS247-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current Ic Max
60 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
IXDR30N120
Factory Pack Quantity
30
Tradename
ISOPLUS
обновлено 2017-01-11 14:13:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97115 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 144 шт.

IXDR30N120D1%40IXYS