IXDR30N120D1

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 200Вт; ISOPLUS247™

Worldwide (495)649-84-45 Littelfuse
Техническая документация:
IXDR30N120D1

Анализ рынка IXDR30N120D1@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IXDR30N120D1

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Pd - Power Dissipation
200 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
ISOPLUS247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current
50 A
Continuous Collector Current Ic Max
60 A
Height
21.34 mm
Length
16.13 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Operating Temperature Range
- 55 C to + 150 C
Series
IXDR30N120
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Tradename
ISOPLUS
Width
5.21 mm
Unit Weight
0.186952 oz
обновлено 24-03-2024
IXDR30N120D1%40LITFUSE