IXDR30N120

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXDR30N120@IXYS Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXDR30N120 фото 1 IXDR30N120 фото 1
IXDR30N120 фото 2 IXDR30N120 фото 2
IXDR30N120 фото 3 IXDR30N120 фото 3
IXDR30N120
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXDR30N120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Power Dissipation
200 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
ISOPLUS247-3
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current Ic Max
60 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
IXDR30N120
Factory Pack Quantity
30
Tradename
ISOPLUS
обновлено 2017-01-11 13:42:26

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXDR30N120%40IXYS