IRLU2703

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.045Ohm; ID 23A; I-Pak (TO-251AA); PD 45W

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRLU2703

Анализ рынка IRLU2703@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRLU2703

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
6.73 x 2.39 x 6.22 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
6.4 sec
Height
6.22 mm
Length
6.73 mm
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
45 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
I-PAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 15 nC &&64; 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
450 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
8.5 ns
Typical TurnOff Delay Time
12 ns
Width
2.39 mm
обновлено 19-04-2024
IRLU2703%40INFIN