IRLR3103

Купить со склада от 138,00 руб

Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 46А, 69Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
IRLR3103

Анализ рынка IRLR3103@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
5
4
от 2
162,00 p
Склад
1-2
1244
от 1000
150,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
3
42
от 23
168,00 p

Технические характеристики IRLR3103

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
46 A
Rds On - Drain-Source Resistance
24 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
16 V
Qg - Gate Charge
33.3 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
54 ns
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
69 W
Rise Time
210 ns
Factory Pack Quantity
75
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
20 ns
Typical Turn-On Delay Time
9 ns
Width
6.22 mm
обновлено 16-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96164 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 138.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 3711 шт.

IRLR3103%40INFIN