IRLR2905

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRLR2905@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRLR2905 фото 1 IRLR2905 фото 1
IRLR2905 фото 2 IRLR2905 фото 2
IRLR2905 фото 3 IRLR2905 фото 3
IRLR2905
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRLR2905
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
21 S
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Resistance
0.04 Ω
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
110 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 48 nC &&64; 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1700 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
11 ns
Typical TurnOff Delay Time
26 ns
Width
6.22 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:30
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 96162 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 292252 шт.

IRLR2905%40INFIN