IRL3713S
Купить со склада от 412,00 рубТранзистор N-МОП, полевой, HEXFET,logic level, 30В, 200А
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
1.4971 грамм
Анализ рынка IRL3713S@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
150
от 100
524,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IRL3713S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
260A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 4.5V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5890pF @ 15V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
96085
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 412.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 300 шт.
IRL3713S%40INFIN