IRG4PH50S

Купить со склада от 136.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRG4PH50S@INFIN Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
8 грамм
IRG4PH50S фото 1 IRG4PH50S фото 1
IRG4PH50S фото 2 IRG4PH50S фото 2
IRG4PH50S фото 3 IRG4PH50S фото 3
IRG4PH50S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRG4PH50S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
15.87 X 5.31 x 20.70 mm
Forward Transconductance
40 S
Height
20.7 mm
Length
15.87 mm
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
TO-247AC
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
167 nC &&64; 15 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3600 pF
Typical Turn On Delay Time
32 ns
Typical TurnOff Delay Time
1170 ns
Width
5.31 mm
обновлено 2017-01-11 14:30:29
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95849 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 136.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 5341 шт.

IRG4PH50S%40INFIN