IRG4PH20KD

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRG4PH20KD

Анализ рынка IRG4PH20KD@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRG4PH20KD

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Training Modules
IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Standard Package
25
Category
Discrete Semiconductor Products
Family
IGBTs - Single
Series
-
Packaging
Bulk
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Current - Collector (Ic) (Max)
11A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Power - Max
60W
Switching Energy
620µJ (on), 300µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
28nC
Td (onoff) @ 25°C
50ns100ns
Test Condition
800V, 5A, 50 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
51ns
Package Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Online Catalog
Standard IGBTs
Other Names
*IRG4PH20KDPBF
обновлено 24-03-2024
IRG4PH20KD%40INFIN