IRFR5410

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR5410@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
1 грамм
IRFR5410 фото 1 IRFR5410 фото 1
IRFR5410 фото 2 IRFR5410 фото 2
IRFR5410 фото 3 IRFR5410 фото 3
IRFR5410
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR5410
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Dual Drain
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Forward Diode Voltage
-1.6 V
Forward Transconductance
3.2 S
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Maximum Continuous Drain Current
-13 A
Maximum Drain Source Resistance
0.205 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
66 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 58 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
760 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
15 ns
Typical TurnOff Delay Time
45 ns
Width
6.22 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95627 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 96043 шт.

IRFR5410%40INFIN