IRFR1N60A
Купить со склада от 33,10 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,89А; 36Вт; DPAK
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
0.6545 грамм
Анализ рынка IRFR1N60A@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
640
от 640
63,30 p
Склад
1-2
272
от 142
33,10 p
Склад
26
6269
от 6000
127,00 p
Склад
29
34000
от 10000
159,00 p
Склад
30
4000
от 2000
126,00 p
Склад
3
32
от 18
44,90 p
Технические характеристики IRFR1N60A
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Vishay
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252AA-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
1.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
2 V to 4 V
Qg - Gate Charge
14 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Channel Mode
Enhancement
Brand
Vishay Semiconductors
Configuration
Single
Fall Time
20 ns
Forward Transconductance - Min
0.88 S
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Pd - Power Dissipation
36 W
Rise Time
14 ns
Series
IRFSIHRx1N60A
Factory Pack Quantity
2000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
18 ns
Typical Turn-On Delay Time
9.8 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.050717 oz
обновлено 25-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95597
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 33.10RUB руб. Купить
Доступное количество: 96858 шт.
IRFR1N60A%40VISHAY