IRFR120N

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFR120N@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRFR120N фото 1 IRFR120N фото 1
IRFR120N фото 2 IRFR120N фото 2
IRFR120N фото 3 IRFR120N фото 3
IRFR120N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFR120N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
6.73 x 6.22 x 2.39 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
2.7 S
Height
2.39 mm
Length
6.73 mm
Maximum Continuous Drain Current
9.4 A
Maximum Drain Source Resistance
0.21 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
48 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
DPAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 25 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
330 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
4.5 ns
Typical TurnOff Delay Time
32 ns
Width
6.22 mm
обновлено 2017-01-11 14:29:08
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95589 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 396315 шт.

IRFR120N%40INFIN