IRFR1205

Купить со склада от 25,90 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 37А; 69Вт; DPAK

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Масса товара:
0.6355 грамм
IRFR1205

Анализ рынка IRFR1205@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
12000
от 10000
73,20 p
Склад
26
15797
от 10000
92,40 p
Склад
1-2
94
от 10
71,20 p
Склад
1-2
5800
от 1000
25,90 p
Склад
1-2
28347
от 10000
48,40 p
Склад
3
5219
от 1000
38,60 p

Технические характеристики IRFR1205

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55 V
Id - Continuous Drain Current
37 A
Rds On - Drain-Source Resistance
27 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
65 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Brand
Infineon IR
Configuration
Single
Fall Time
60 ns
Forward Transconductance - Min
17 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
107 W
Rise Time
69 ns
Factory Pack Quantity
3000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
47 ns
Typical Turn-On Delay Time
7.3 ns
Width
6.22 mm
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95587 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 25.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 170549 шт.

IRFR1205%40INFIN