IRFP4710

Купить со склада от 79.70 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFP4710@INFIN Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRFP4710 фото 1 IRFP4710 фото 1
IRFP4710 фото 2 IRFP4710 фото 2
IRFP4710 фото 3 IRFP4710 фото 3
IRFP4710
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFP4710
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
15.90 x 5.30 x 20.30 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
35 S
Height
20.3 mm
Length
15.9 mm
Maximum Continuous Drain Current
72 A
Maximum Drain Source Resistance
0.014 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
190 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-247AC
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 110 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
6160 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
35 ns
Typical TurnOff Delay Time
41 ns
Width
5.3 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95548 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 79.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 2810 шт.

IRFP4710%40INFIN