IRFL4105

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFL4105@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRFL4105 фото 1 IRFL4105 фото 1
IRFL4105 фото 2 IRFL4105 фото 2
IRFL4105 фото 3 IRFL4105 фото 3
IRFL4105
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFL4105
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
660 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
5.2 A
Dimensions
6.70 x 3.70 x 1.45 mm
Gate Charge, Total
23 nC
Height
1.45 mm
Length
6.7 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
SOT-223
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
2.1 W
Resistance, Drain to Source On
0.045 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
19 ns
Time, Turn-On Delay
7.1 ns
Transconductance, Forward
3.8 S
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
55 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
55 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
3.7 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:34
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95461 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 59377 шт.

IRFL4105%40INFIN