IRFL024N

Купить со склада от 25,90 руб

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 4А, 2,1Вт, SOT223, HEXFET®

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.574 грамм
IRFL024N

Анализ рынка IRFL024N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
10000
от 10000
32,30 p
Склад
27
10620
от 10000
70,80 p
Склад
27
620
от 500
43,60 p
Склад
26
9505
от 5000
41,90 p
Склад
1-2
6000
от 1000
25,90 p
Склад
4
1475
от 1000
35,50 p

Технические характеристики IRFL024N

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Single Dual Drain
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
55
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
4
Maximum Continuous Drain Current - (A)
4
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
75@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
18.3(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
18.3(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
400@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
2100
Operating Temperature - (??C)
-55~150
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-223
Standard Package Name
SOT
Military
No
Automotive
No
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95454 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 25.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 139177 шт.

IRFL024N%40INFIN