IRFF120

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-205AF

Worldwide (495)649-84-45 Rochester Electronics
Техническая документация:
IRFF120

Анализ рынка IRFF120@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRFF120

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Process Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
6
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
350@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
18(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
18(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
350@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
20000
Operating Temperature - (??C)
-55~150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-39
Standard Package Name
TO-205-AF
Military
No
Automotive
No
обновлено 16-04-2024
IRFF120%40INFIN