IRFBC30AS
Купить со склада от 102,00 рубМОП-транзистор N-CH 600V HEXFET МОП-транзистор D2-PA
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
2.32 грамм
Анализ рынка IRFBC30AS@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
99
от 99
200,00 p
Склад
12
1392
от 1000
116,00 p
Склад
26
2169
от 2000
185,00 p
Склад
Склад
Склад
28
1347
от 1000
264,00 p
Технические характеристики IRFBC30AS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vgs (Max)
В±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
74W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 24-03-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95282
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 102.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 7656 шт.
IRFBC30AS%40VISHAY