IRFB52N15D

Купить со склада от 68.70 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB52N15D@INFIN Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRFB52N15D фото 1 IRFB52N15D фото 1
IRFB52N15D фото 2 IRFB52N15D фото 2
IRFB52N15D фото 3 IRFB52N15D фото 3
IRFB52N15D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB52N15D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Forward Diode Voltage
1.5 V
Forward Transconductance
19 S
Height
16.51 mm
Length
10.66 mm
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
230 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2770 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
16 ns
Typical TurnOff Delay Time
28 ns
Width
4.82 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:36
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95266 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 68.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 6633 шт.

IRFB52N15D%40INFIN