IRFB38N20D

Купить со склада от 50.90 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB38N20D@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRFB38N20D фото 1 IRFB38N20D фото 1
IRFB38N20D фото 2 IRFB38N20D фото 2
IRFB38N20D фото 3 IRFB38N20D фото 3
IRFB38N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB38N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
2900 pF &&64; 25 V
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
43 A
Dimensions
10.67 x 4.83 x 9.02 mm
Gate Charge, Total
60 nC
Height
9.02 mm
Length
10.67 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
300 W
Resistance, Drain to Source On
0.054 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
0.47 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
29 ns
Time, Turn-On Delay
16 ns
Transconductance, Forward
17 S
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
200 V
Voltage, Diode Forward
1.5 V
Voltage, Drain to Source
200 V
Voltage, Forward, Diode
1.5 V
Voltage, Gate to Source
±30 V
Width
4.83 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95262 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 50.90RUB руб. Купить

Доступное количество: 7763 шт.

IRFB38N20D%40INFIN