IRFB31N20D
Купить со склада от 465,00 рубТранзистор полевой N-канальный 200В 31A
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
2.7 грамм
Анализ рынка IRFB31N20D@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
1-2
1
от 1
911,00 p
Склад
1-2
257
от 100
493,00 p
Склад
6
5
от 2
488,00 p
Склад
20
26
от 10
3 699,00 p
Склад
Склад
1-2
257
от 100
493,00 p
Технические характеристики IRFB31N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??30
Maximum Continuous Drain Current - (A)
31
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
82@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
70@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
70
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
2370@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
3100
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Automotive
No
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95260
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 465.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 830 шт.
IRFB31N20D%40INFIN