IRFB260N

Купить со склада от 163,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 200В; 56А; 380Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3.32 грамм
IRFB260N

Анализ рынка IRFB260N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
13
от 13
358,00 p
Склад
1-2
3297
от 250
173,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
1-2
3297
от 250
173,00 p

Технические характеристики IRFB260N

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4220pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
380W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95259 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 163.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 11251 шт.

IRFB260N%40INFIN