IRF9Z24N

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF9Z24N@INFIN Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF9Z24N фото 1 IRF9Z24N фото 1
IRF9Z24N фото 2 IRF9Z24N фото 2
IRF9Z24N фото 3 IRF9Z24N фото 3
IRF9Z24N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF9Z24N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Capacitance, Input
350 pF &&64; -25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Current, Drain
-8.5 A
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Gate Charge, Total
19 nC
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
P-Channel
Power Dissipation
45 W
Resistance, Drain to Source On
0.175 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
23 ns
Time, Turn-On Delay
13 ns
Transconductance, Forward
2.5 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 19 nC &&64; -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
-55 V
Voltage, Diode Forward
-1.6 V
Voltage, Drain to Source
-55 V
Voltage, Forward, Diode
-1.6 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4.69 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:03
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95241 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 28767 шт.

IRF9Z24N%40INFIN