IRF9952

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF9952@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF9952 фото 1 IRF9952 фото 1
IRF9952 фото 2 IRF9952 фото 2
IRF9952 фото 3 IRF9952 фото 3
IRF9952
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF9952
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
190 pF &&64; -15 V (P), 190 pF &&64; 15 V (N)
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
-2.3 (P), 3.5 (N) A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total
6.96.1 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Number of Pins
8
Package Type
SO-8
Polarization
N-Channel and P-Channel
Power Dissipation
2 W
Resistance, Drain to Source On
0.15 (N), 0.400 (P) mΩ
Temperature, Operating
-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5 °CW
Time, Turn-Off Delay
13 (N), 20 (P) ns
Time, Turn-On Delay
6.2 (N), 9.7 (P) ns
Transconductance, Forward
12 (N), 2.4 (P) S
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC &&64; -10 V (P), 6.9 nC &&64; 10 V (N)
Voltage, Breakdown, Drain to Source
30-30 V
Voltage, Diode Forward
-1.2 (P), 1.2 (N) V
Voltage, Drain to Source
-30 (P), 30 (N) V
Voltage, Forward, Diode
0.82-0.82 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4 mm
обновлено 2017-01-11 14:34:23
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95233 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 143333 шт.

IRF9952%40INFIN