IRF9530NS

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF9530NS@INFIN Model Model PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
IRF9530NS фото 1 IRF9530NS фото 1
IRF9530NS фото 2 IRF9530NS фото 2
IRF9530NS фото 3 IRF9530NS фото 3
IRF9530NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF9530NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Dual Drain
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
-1.6 V
Forward Transconductance
3.2 S
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
-14 A
Maximum Drain Source Resistance
0.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
79 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 58 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
760 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
15 ns
Typical TurnOff Delay Time
45 ns
Width
9.65 mm
обновлено 2017-01-11 14:31:39
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95218 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 24903 шт.

IRF9530NS%40INFIN