Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
IRF7401
Купить со склада от 57,40 рубТранзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 8,7А, 2,5Вт, SO8, HEXFET®
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.19 грамм
Анализ рынка IRF7401@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
5
9
от 2
113,00 p
Склад
1-2
8968
от 1082
60,80 p
Склад
30
14300
от 10000
68,50 p
Склад
Склад
Склад
1-2
8968
от 1082
60,80 p
Технические характеристики IRF7401
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
8.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance
22 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
0.7 V
Qg - Gate Charge
32 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon IR
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
Fall Time
92 ns
Forward Transconductance - Min
11 S
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
72 ns
Factory Pack Quantity
3800
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
65 ns
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
Width
3.9 mm
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95081
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 57.40RUB руб. Купить
Доступное количество: 34829 шт.
IRF7401%40INFIN