IRF7341

Купить со склада от 31,80 руб

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.5 грамм
IRF7341

Анализ рынка IRF7341@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
4154
от 1000
85,10 p
Склад
1-2
1035
от 1000
56,50 p
Склад
1-2
35562
от 10000
33,60 p
Склад
33
120000
от 20000
76,00 p
Склад
34
17186
от 10000
37,10 p
Склад
1-2
35562
от 10000
33,60 p

Технические характеристики IRF7341

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Configuration
Dual Dual Drain
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
2
Maximum Drain Source Voltage - (V)
55
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
1(Min)
Maximum Continuous Drain Current - (A)
4.7
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
50@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
24@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
24
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
740@25V
Typical Output Capacitance - (pF)
190
Maximum Power Dissipation - (mW)
2000
Operating Temperature - (??C)
-55~150
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
8
Supplier Package
SOIC
Standard Package Name
SOP
Military
No
Automotive
No
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95069 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 31.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 238535 шт.

IRF7341%40INFIN