IRF7319

Купить со склада от 17.20 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7319@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7319 фото 1 IRF7319 фото 1
IRF7319 фото 2 IRF7319 фото 2
IRF7319 фото 3 IRF7319 фото 3
IRF7319
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7319
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Configuration
Dual Source, Quad Drain
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
-1 (P), 1 (N) V
Forward Transconductance
14 (N), 7.7 (P) S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
-4.9 (P), 6.5 (N) A
Maximum Drain Source Resistance
0.046 (N), 0.098 (P) Ω
Maximum Drain Source Voltage
-30 (P), 30 (N) V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC &&64; 10 V (N), 23 nC &&64; -10 V (P)
Typical Input Capacitance @ Vds
650 pF &&64; 25 V (N), 710 pF &&64; -25 V (P)
Typical Turn On Delay Time
13 (P), 8.1 (N) ns
Typical TurnOff Delay Time
26 (N), 34 (P) ns
Width
4 mm
обновлено 2017-01-11 14:29:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95059 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 17.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 60052 шт.

IRF7319%40INFIN