IRF7201

Купить со склада от 39,40 руб

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 7А, 2,5Вт, SO8, HEXFET®

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0.172 грамм
IRF7201

Анализ рынка IRF7201@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
785
от 100
93,80 p
Склад
1-2
10512
от 10000
56,90 p
Склад
26
2049
от 1000
56,80 p
Склад
27
787
от 500
54,00 p
Склад
28
9751
от 4000
56,80 p
Склад
30
71
от 1535
39,40 p

Технические характеристики IRF7201

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30 V
Id - Continuous Drain Current
7.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance
30 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V
Qg - Gate Charge
19 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Reel
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
19 ns
Forward Transconductance - Min
5.8 S
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2.5 W
Rise Time
35 ns
Factory Pack Quantity
4000
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
21 ns
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
Width
3.9 mm
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95026 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 39.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 64842 шт.

IRF7201%40INFIN