IRF7105

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7105@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7105 фото 1 IRF7105 фото 1
IRF7105 фото 2 IRF7105 фото 2
IRF7105 фото 3 IRF7105 фото 3
IRF7105
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7105
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
290 pF &&64; -15 V (P), 330 pF &&64; 15 V (N)
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N, P
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
-2.3 (P), 3.5 (N) A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total
9.410 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Number of Pins
8
Package Type
SO-8
Polarization
N-Channel and P-Channel
Power Dissipation
2 W
Resistance, Drain to Source On
0.16 (N), 0.40 (P) Ω
Temperature, Operating
-55 to 150 °C
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5 °CW
Time, Turn-Off Delay
45 ns
Time, Turn-On Delay
12 (P), 7 (N) ns
Transconductance, Forward
3.1 (P), 4.3 (N) S
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC &&64; -10 V (P), 9.4 nC &&64; 10 V (N)
Voltage, Breakdown, Drain to Source
25-25 V
Voltage, Diode Forward
-1.2 (P), 1.2 (N) V
Voltage, Drain to Source
-25 (P), 25 (N) V
Voltage, Forward, Diode
1.2-1.2 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4 mm
обновлено 2017-01-11 14:33:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95023 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 53819 шт.

IRF7105%40INFIN