IRF640NS

Купить со склада от 26.70 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF640NS@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF640NS фото 1 IRF640NS фото 1
IRF640NS фото 2 IRF640NS фото 2
IRF640NS фото 3 IRF640NS фото 3
IRF640NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF640NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
6.8 S
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Resistance
0.15 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 67 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1160 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
10 ns
Typical TurnOff Delay Time
23 ns
Width
9.65 mm
обновлено 2017-01-11 14:03:24
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95012 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 26.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 131656 шт.

IRF640NS%40INFIN