IRF640NS

Купить со склада от 73,80 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 18А; 150Вт; D2PAK

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Масса товара:
3 грамм
IRF640NS

Анализ рынка IRF640NS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
4800
от 4800
104,00 p
Склад
27
6645
от 1000
154,00 p
Склад
27
184
от 100
140,00 p
Склад
27
1600
от 1000
159,00 p
Склад
27
184
от 100
140,00 p
Склад
24
3867
от 1000
74,60 p

Технические характеристики IRF640NS

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
200 V
Id - Continuous Drain Current
18 A
Rds On - Drain-Source Resistance
150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Qg - Gate Charge
44.7 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Channel Mode
Enhancement
Packaging
Reel
Packaging
MouseReel
Packaging
Cut Tape
Brand
Infineon Technologies
Fall Time
5.5 ns
Forward Transconductance - Min
6.8 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
150 W
Rise Time
19 ns
Factory Pack Quantity
800
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
23 ns
Typical Turn-On Delay Time
10 ns
Width
6.22 mm
Unit Weight
0.070548 oz
обновлено 17-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95012 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 73.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 246918 шт.

IRF640NS%40INFIN