Товаров: 5 329 811 от 3592
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-25 01:43
IRF630N
Купить со склада от 30,90 рубТранзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 9,5А, 82Вт, TO220AB
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3.0515 грамм
Анализ рынка IRF630N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
381
от 381
58,00 p
Склад
1-2
1200
от 1000
30,90 p
Склад
1-2
4629
от 1000
32,90 p
Склад
22
8263
от 1000
38,90 p
Склад
27
79408
от 10000
89,20 p
Склад
1-2
4629
от 1000
32,90 p
Технические характеристики IRF630N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
9.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
575pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
82W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 26-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
95001
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 30.90RUB руб. Купить
Доступное количество: 121239 шт.
IRF630N%40INFIN