IRF530N

Купить со склада от 32,50 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 17А; 79Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
3.175 грамм
IRF530N

Анализ рынка IRF530N@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
186
от 186
67,70 p
Склад
1-2
2699
от 1000
34,40 p
Склад
26
13055
от 10000
78,60 p
Склад
26
46449
от 10000
65,90 p
Склад
27
39286
от 25000
57,60 p
Склад
4
1449
от 1000
40,10 p

Технические характеристики IRF530N

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Process Technology
HEXFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)
4
Maximum Continuous Drain Current - (A)
17
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
90@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
37(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
37(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
920@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
70000
Operating Temperature - (??C)
-55~175
Packaging
Tube
Pin Count
3
Supplier Package
TO-220AB
Standard Package Name
TO-220
Military
No
Automotive
No
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94955 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 32.50RUB руб. Купить

Доступное количество: 323892 шт.

IRF530N%40INFIN