IRF530A

Купить со склада от 126,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,9А; 55Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Масса товара:
2 грамм
IRF530A

Анализ рынка IRF530A@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
29
34
от 34
441,00 p
Склад
30
205
от 100
301,00 p
Склад
30
375
от 477
126,00 p
Склад
33
1382
от 1202
128,00 p
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRF530A

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
14 A
Rds On - Drain-Source Resistance
110 mOhms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Configuration
Single
Fall Time
36 ns
Forward Transconductance - Min
0.007 S
Height
16.3 mm
Length
10.67 mm
Pd - Power Dissipation
55 W
Rise Time
14 ns
Series
IRF530A
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
55 ns
Typical Turn-On Delay Time
13 ns
Width
4.7 mm
Part # Aliases
IRF530A_NL
Unit Weight
0.063493 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94954 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 126.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1996 шт.

IRF530A%40ONS