Товаров: 5 069 782 от 3171
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-20 01:38
IRF5210S
Купить со склада от 102,00 рубТранзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -40А, 3,8Вт, D2PAK, HEXFET®
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
1.7303 грамм
Анализ рынка IRF5210S@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
8
от 2
1 259,00 p
Склад
27
300
от 100
422,00 p
Склад
29
6400
от 6400
355,00 p
Склад
26
7198
от 5600
268,00 p
Склад
26
23559
от 10000
291,00 p
Склад
22
13346
от 10000
105,00 p
Технические характеристики IRF5210S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2780pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 20-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
94947
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 102.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 276741 шт.
IRF5210S%40INFIN