IRF5210L

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF5210L@INFIN Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
IRF5210L фото 1 IRF5210L фото 1
IRF5210L фото 2 IRF5210L фото 2
IRF5210L фото 3 IRF5210L фото 3
IRF5210L
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF5210L
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Dual Drain
Dimensions
10.67 x 4.83 x 9.65 mm
Forward Diode Voltage
-1.6 V
Forward Transconductance
9.5 S
Height
9.65 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
-38 A
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
-100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
170 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
TO-262
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2780 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
14 ns
Typical TurnOff Delay Time
72 ns
Width
4.83 mm
обновлено 2017-01-11 14:31:29
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94946 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 6170 шт.

IRF5210L%40INFIN