IRF5210

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF5210@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRF5210 фото 1 IRF5210 фото 1
IRF5210 фото 2 IRF5210 фото 2
IRF5210 фото 3 IRF5210 фото 3
IRF5210
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF5210
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Forward Diode Voltage
-1.6 V
Forward Transconductance
10 S
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
-29 A
Maximum Drain Source Resistance
0.06 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-100 V
Maximum Gate Source Voltage
± 20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 180 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
2700 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
17 ns
Typical TurnOff Delay Time
79 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-01-11 14:29:51
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94945 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 31105 шт.

IRF5210%40INFIN