IRF520N

Купить со склада от 17.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF520N@INFIN Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
3 грамм
IRF520N фото 1 IRF520N фото 1
IRF520N фото 2 IRF520N фото 2
IRF520N фото 3 IRF520N фото 3
IRF520N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF520N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
2.7 S
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Resistance
0.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
48 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 25 nC &&64; 20 V
Typical Input Capacitance @ Vds
330 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
4.5 ns
Typical TurnOff Delay Time
32 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:48
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94943 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 17.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 35972 шт.

IRF520N%40INFIN