IRF3808S

Купить со склада от 200,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 75А; Idm: 550А; 200Вт; D2PAK

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
1.7167 грамм
IRF3808S

Анализ рынка IRF3808S@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
15
от 10
417,00 p
Склад
1-2
3456
от 1000
211,00 p
Склад
26
4625
от 1000
288,00 p
Склад
26
2922
от 2400
278,00 p
Склад
27
2400
от 2400
206,00 p
Склад
1-2
3456
от 1000
211,00 p

Технические характеристики IRF3808S

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
75 V
Id - Continuous Drain Current
106 A
Rds On - Drain-Source Resistance
7 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
220 nC
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape
Packaging
MouseReel
Packaging
Reel
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Transistor Type
1 N-Channel
Width
6.22 mm
Brand
Infineon Technologies
Forward Transconductance - Min
100 S
Fall Time
120 ns
Pd - Power Dissipation
200 W
Rise Time
140 ns
Factory Pack Quantity
800
Part # Aliases
SP001559612
Unit Weight
0.139332 oz
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94931 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 200.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 40691 шт.

IRF3808S%40INFIN