IRF3710S

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3710S@INFIN Model Model PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
2 грамм
IRF3710S фото 1 IRF3710S фото 1
IRF3710S фото 2 IRF3710S фото 2
IRF3710S фото 3 IRF3710S фото 3
IRF3710S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3710S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Current, Drain
57 A
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
32 S
Gate Charge, Total
130 nC
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
57 A
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
200 W
Resistance, Drain to Source On
23 Milliohms
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Time, Turn-Off Delay
45 ns
Time, Turn-On Delay
12 ns
Transconductance, Forward
32 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 130 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3130 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
12 ns
Typical TurnOff Delay Time
45 ns
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.2 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
9.65 mm
обновлено 2017-01-11 14:29:12
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94925 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 86366 шт.

IRF3710S%40INFIN