IRF3710

Купить со склада от 51,80 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 57А; 200Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Масса товара:
3.0137 грамм
IRF3710

Анализ рынка IRF3710@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
14314
от 10000
114,00 p
Склад
27
15301
от 10000
161,00 p
Склад
29
1360
от 1000
149,00 p
Склад
26
6849
от 5000
139,00 p
Склад
1-2
3700
от 1000
51,80 p
Склад
1-2
8939
от 1150
58,40 p

Технические характеристики IRF3710

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
57A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3130pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94923 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 51.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 696403 шт.

IRF3710%40INFIN