IRF3415S

Купить со склада от 42.30 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF3415S@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
2 грамм
IRF3415S фото 1 IRF3415S фото 1
IRF3415S фото 2 IRF3415S фото 2
IRF3415S фото 3 IRF3415S фото 3
IRF3415S
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF3415S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
2400 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
43 A
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Gate Charge, Total
200 nC
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
D2PAK
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
200 W
Resistance, Drain to Source On
0.042 Ω
Resistance, Thermal, Junction to Case
0.75 °CW
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
71 ns
Time, Turn-On Delay
12 ns
Transconductance, Forward
19 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 200 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
150 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
150 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
9.65 mm
обновлено 2017-01-11 14:33:58
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94906 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 42.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 41823 шт.

IRF3415S%40INFIN