IRF3205L
Купить со склада от 132,00 рубТранзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 110А; 200Вт; TO262
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Масса товара:
111.6571 грамм
Анализ рынка IRF3205L@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
6243
от 1000
138,00 p
Склад
1-2
160
от 120
132,00 p
Склад
Склад
Склад
Склад
Сегодня
5
от 5
290,00 p
Технические характеристики IRF3205L
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package Case
TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
обновлено 19-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
94896
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 132.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 6408 шт.
IRF3205L%40INFIN