IRF3205L

Купить со склада от 132,00 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 110А; 200Вт; TO262

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
111.6571 грамм
IRF3205L

Анализ рынка IRF3205L@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
27
6243
от 1000
138,00 p
Склад
1-2
160
от 120
132,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
Сегодня
5
от 5
290,00 p

Технические характеристики IRF3205L

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
146nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3247pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package Case
TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
обновлено 19-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94896 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 132.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 6408 шт.

IRF3205L%40INFIN