IRF1310N

Купить со склада от 33.10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1310N@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRF1310N фото 1 IRF1310N фото 1
IRF1310N фото 2 IRF1310N фото 2
IRF1310N фото 3 IRF1310N фото 3
IRF1310N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF1310N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
1900 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
42 A
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Gate Charge, Total
110 nC
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
160 W
Resistance, Drain to Source On
0.036 Ω
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
45 ns
Time, Turn-On Delay
45 ns
Transconductance, Forward
14 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 110 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4.69 mm
обновлено 2017-01-11 14:32:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94872 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 33.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 15501 шт.

IRF1310N%40INFIN