IRF1010N

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF1010N@INFIN Model Model PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRF1010N фото 1 IRF1010N фото 1
IRF1010N фото 2 IRF1010N фото 2
IRF1010N фото 3 IRF1010N фото 3
IRF1010N
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF1010N
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
3210 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
85 A
Dimensions
10.66 x 4.82 x 16.51 mm
Gate Charge, Total
120 nC
Height
16.51 mm
Length
10.66 mm
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
TO-220AB
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
180 W
Resistance, Drain to Source On
11 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
39 ns
Time, Turn-On Delay
13 ns
Transconductance, Forward
32 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 120 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
55 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
55 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4.82 mm
обновлено 2017-01-11 14:30:50
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94864 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 22360 шт.

IRF1010N%40INFIN