IRF1010E

Купить со склада от 46,40 руб

Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2.8 грамм
IRF1010E

Анализ рынка IRF1010E@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
204
от 204
95,30 p
Склад
1-2
596
от 350
49,30 p
Склад
26
3387
от 2000
124,00 p
Склад
27
1093
от 1000
107,00 p
Склад
30
1797
от 1000
238,00 p
Склад
3
81
от 50
61,20 p

Технические характеристики IRF1010E

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
84A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3210pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94861 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 46.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 12987 шт.

IRF1010E%40INFIN