2SB1122S-TD-E

ON Semiconductor 2SB1122S-TD-E Транзистор

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor onsemi.com

🌏

Сайт
ON Semiconductor

Техническая документация:

2SB1122S-TD-E

Анализ рынка 2SB1122S-TD-E@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник

Срок (р.д.)

Наличие, шт.

Опт, шт.

Цена опт

Источник

Срок
(р.д.)

Наличие,
шт.

Опт, шт.

Цена
опт

Склад

Технические характеристики 2SB1122S-TD-E

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Product Category

Bipolar Transistors - BJT

Manufacturer

ON Semiconductor

RoHS

Details

Mounting Style

SMDSMT

Transistor Polarity

PNP

Configuration

Single

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Collector- Base Voltage VCBO

- 60 V

Emitter- Base Voltage VEBO

- 5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

- 0.18 V

Maximum DC Collector Current

- 2 A

Gain Bandwidth Product fT

150 MHz

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Series

2SB1122

Brand

ON Semiconductor

Continuous Collector Current

- 1 A

DC CollectorBase Gain hfe Min

140

DC Current Gain hFE Max

560

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Packaging

Reel

Pd - Power Dissipation

1.3 W

Factory Pack Quantity

1000

обновлено 19-04-2024

2SB1122S-TD-E%40ONS