HUF75339P3

Купить со склада от 0.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF HUF75339P3@ONS Model Model PDF даташит
Масса товара:
15 грамм
HUF75339P3 фото 1 HUF75339P3 фото 1
HUF75339P3 фото 2 HUF75339P3 фото 2
HUF75339P3 фото 3 HUF75339P3 фото 3
HUF75339P3
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики HUF75339P3
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
EU RoHS
Compliant
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Product Category
Power MOSFET
Maximum Power Dissipation (mW)
200000
Technology
UltraFET
Packaging
Rail
Maximum Drain Source Voltage (V)
55
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
110@20V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
2000@25V
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4
Temperature Grade
Military
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
12@10V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Continuous Drain Current (A)
75
Mounting
Through Hole
Package Height (mm)
9.4(Max)
Package Length (mm)
10.67(Max)
Package Width (mm)
4.83(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Supplier Package
TO-220AB
Pin Count
3
обновлено 2017-01-11 14:32:09
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 92957 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 55088 шт.

HUF75339P3%40ONS