FGD3N60LSDTM

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 6 А, 40 Вт

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
FGD3N60LSDTM

Анализ рынка FGD3N60LSDTM@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики FGD3N60LSDTM

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
-
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Current - Collector (Ic) (Max)
6A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 10V, 3A
Power - Max
40W
Switching Energy
250ВµJ (on), 1mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
12.5nC
Td (onoff) @ 25В°C
40ns600ns
Test Condition
480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Reverse Recovery Time (trr)
234ns
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Package Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
Base Part Number
FGD3N60
обновлено 24-03-2024
FGD3N60LSDTM%40ONS