Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
FQI50N06
Power Field-Effect Transistor, 50A, 60V, 0.022ohm, N-Channel, MOSFET, TO-262AA
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка FQI50N06@ONS - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики FQI50N06
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-262-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
Id - Continuous Drain Current
50 A
Rds On - Drain-Source Resistance
22 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
25 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
ON Semiconductor Fairchild
Configuration
Single
Fall Time
65 ns
Forward Transconductance - Min
22 S
Height
7.88 mm
Length
10.29 mm
Pd - Power Dissipation
3.75 W
Rise Time
105 ns
Series
FQI50N06
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
60 ns
Typical Turn-On Delay Time
15 ns
Width
4.83 mm
Part # Aliases
FQI50N06TU_NL
Unit Weight
0.073511 oz
обновлено 19-04-2024
FQI50N06%40ONS