D45H11G

Купить со склада от 29.20 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF D45H11G@ONS Model Model PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
2 грамм
D45H11G фото 1 D45H11G фото 1
D45H11G фото 2 D45H11G фото 2
D45H11G фото 3 D45H11G фото 3
D45H11G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики D45H11G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Bipolar Power
Configuration
Common Base
Dimensions
10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Height
15.75 mm
Length
10.28 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum DC Collector Current
10 A
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
40 MHz
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
70 W
Minimum DC Current Gain
40
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
TO-220
Pin Count
3
Transistor Material
Si
Transistor Type
PNP
Width
4.82 mm
обновлено 2017-01-11 14:33:14
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 88735 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 29.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 51614 шт.

D45H11G%40ONS